Vrijeme Millerovog platoa gotovo je jednako nuli (vidi sliku 3), a ukupni gubitak pri prebacivanju smanjen je za najmanje 70%
Oct 19, 2022| Vrijeme Millerovog platoa gotovo je jednako nuli (vidi sliku 3), a ukupni gubitak pri prebacivanju smanjen je za najmanje 70%
Kao što je prikazano u tablici 1, s istim RDS(ON), galijev nitrid ima manji parazitni kapacitet, a Ciss i Crss su 1/12 odnosno 1/23 od Si CoolMOS, što rezultira većom brzinom prebacivanja. U kraku brzog mosta BTPPFC, vrijeme preklapanja struje i napona smanjuje se za više od 88% (vidi sliku 2). Vrijeme Millerovog platoa gotovo je jednako nuli (vidi sliku 3), a ukupni gubitak pri prebacivanju smanjen je za najmanje 70%.
Coss za InnoGaN je manji i ima bolju linearnost (vidi sliku 4). Kada je Vds nizak, Coss GaN je mnogo manji nego kod Si MOS, a Si će imati proces mutacije nagiba. Iz valnog oblika sustava može se vidjeti da je gubitak preklopnog preklapanja GaN-a daleko manji nego kod Si MOS-a, a Dv/dt GaN-a u t2-t3 segmentu je manji nego kod Si MOS-a, pa je Generirani EMI šum je također manji.
