Zašto je galijev nitrid bolji od silicija?

U usporedbi sa silicijem, prednost GaN-a svodi se na energetsku učinkovitost. Kako je GaN Systems, profesionalni proizvođač galij nitrida objasnio:

"Svi poluvodički materijali imaju tzv. zabranjeni pojas. To je raspon energije u kojemu u krutom tijelu ne mogu postojati elektroni. Ukratko, zabranjeni pojas povezan je s električnom vodljivošću čvrstog materijala. Zazorni pojas galijevog nitrida iznosi 3,4 eV, dok je kod silicija 1,12 eV. Galijev nitrid ima širi zabranjeni pojas, što znači da može izdržati više napone i više temperature od silicija."

Drugi proizvođač GaN-a, Efficient Power Conversion Corporation, rekao je da je GaN-ova učinkovitost vođenja elektrona 1,000 puta veća od silicija, a troškovi njegove proizvodnje su niži.

Veća učinkovitost razmaka pojasa znači da struja može proći kroz GaN čipove brže od silicijskih čipova, što bi moglo dovesti do brže procesorske snage u budućnosti. Ukratko, čipovi napravljeni od GaN bit će brži, manji, energetski učinkovitiji i (eventualno) jeftiniji od čipova napravljenih od silicija.

Predvidljivo je da možda nećete lako vidjeti mnogo GaN punjača prije nego što ih veliki proizvođači hardvera (kao što su Apple i Samsung) počnu uključivati ​​u nova računala i pametne telefone.